Littelfuse公司为其功率控制半导体系列新添两款产品。 新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和最高1200V、600A的额定值，能够可靠、灵活地提供依托现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度。 此类产品设计用于多种功率控制应用，包括交流电机控制器、运动/伺服控制...

具有低集电极-发射极饱和电压。

在小封装中提供低集电极-发射极饱和电压。

Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT)使用先进的沟槽栅场停止技术，以更好地控制动态特性

7月16日，浙江嘉善举行了IGBT功率半导体项目及IGBT技术研发中心签约仪式。

STMicroelectronics STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT基于先进、专有沟槽栅极场终止结构演进而来。HB2系列以较低的电流值和较低的开关能量，通过高级VCE(sat) 优化导通。STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT在100A IC时具有1.55V（典型值）低 VCE(sat)。

安森美半导体的AFGY100T65SPD和AFGY120T65SPD场截止沟槽IGBT符合AEC-Q101的要求，并且具有非常低的导通和开关损耗。这些功能可在各种应用中实现高效运行，稳定的瞬态可靠性和低EMI。

东芝GT20N135SRA硅n通道IGBT是第6.5代IGBT，由集成在IGBT芯片中的自由二极管(FWD)组成。这IGBT的特点是低饱和电压为1.60 v和运营175°C的最大结温高、0.25µ年代的高速切换。GT20N135SRA硅n通...

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF，以此拓展绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 系列。...

高功率和高频率感应加热(IH)家用电器需要更低的传导损耗和卓越的开关性能，以便在IH电饭煲、台式电磁炉和基于逆变器的微波炉等应用中实现更高的效率和系统可靠性。飞兆半导体的高电压场截止阳极短路(Short...

1200V, 40A，低损耗，提供低热阻，并采用TO-247长引线封装。

IGBT（绝缘栅双极型晶体管），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

混合功率离散与SiC功率技术在THD包的电子移动应用。